失效定位在不破坏样品或者部分破坏样品的情况下，定位出失效问题的物理位置。。
检测范围
通常使用的分析方法包括X-ray, Thermal, CSAM, EMMI, OBIRCH, TDR等。
EMMI——侦测各种组件缺陷所产生的漏电等，闸极氧化层缺陷（Gate oxide defects）、静电放电破坏（ESD Failure）、在电路验证中产生闩锁效应（Latch Up）及漏电（Leakage）接面漏电（Junction Leakage）、顺向偏压（Forward Bias）及在饱和区域操作的晶体管，均可由EMMI定位。
OBIRCH——微光显微、激光失效定位、热成像显微仪、原子力探针等。
